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光伏逆变器的新方向

作者:时间:2017-04-10来源:电子产品世界

  新型、封装或材料都是为了提高电源能效和功率密度。半导体非常注重新技术的开发与新材料器件的应用,能同时提供氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC) 宽带隙(WBG)器件,目前SiC二极管已经量产并且广泛应用于工业、太阳能逆变器等领域,SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在开发中,不久就会发布。

本文引用地址:/article/201704/346387.htm

  太阳能/的应用市场会继续稳步成长,特别是在中国。在技术上,逆变器会朝向更高的能效、允许更宽的电池板输入电压、更小的体积、更高的可靠性方向去发展。所以,更高频化的应用、新材料如碳化硅(SiC)的应用、更多的功能、集成化多电平的模块应用等方面可能是未来逆变器设计的一些主要方向。

半导体中国解决方案工程中心(SEC)高级经理 陈立烽

提供高能效和更小漏电流解决方案

  安森美半导体一直致力于在新能源这一领域,同时非常注重新技术的开发与新材料器件的应用。在逆变器上,我们推出了我们第三代的超级结MOS管,相比前一代产品,新一代的MOS管利用电荷平衡技术,大幅减少了导通电阻RDS(on)与门极电荷Qg,可使系统的能效显著提高,并承受极端dv/dt 额定值。如N沟道MOSFET FCH023N65S3_F155和FCH040N65S3_F155,100% 经过雪崩击穿测试,RDS(on)典型值分别为19.5 mΩ、35.4 mΩ,Qg典型值分别为222 nc、136 nc。在IGBT方面,Trench沟道的第四代的场截止(Field-stop) IGBT大幅减小了关断损耗,从而可以使IGBT在更高的频率下工作来满足更高的功率密度的要求。如FGH50T65SQD_F155和FGH75T65SQD_F155,具备高电流能力、高输入阻抗、快速开关和紧密的参数分布等特性。另外,SiC二极管也是安森美半导体在应用中的一个拳头产品,目前已经量产。相比于竟争对手的方案,我们有更高的能效和更小的漏电流。

  安森美半导体不光在分立器件上有业界领先的产品,我们也结合我们在功率模块上的先进技术,推出了我们的太阳能功率集成模块 (PIM)。集成化的模块包括了IGBT及整流器,采用安森美半导体的专有沟槽场截止技术(FS)及强固的超快快速恢复二极管,配置为中点钳位式T型拓扑结构,能效可超过98%。可配置的封装平台采用大功率直接键合铜(DBC)基板技术及专有的压合(press-fit)引脚,可以提供更高的功率密度、更高的性能与更高的可靠性。

  不同的应用可能对系统或者对产品的关注也会不一样,像电机控制领域,所需要的产品就需要具备高集成度、高可靠性的特点。更细分一下,像无人机上的电调控制板,除了上述所说的对电机驱动的要求以外,还要求有更小的体积。

  安森美半导体可以提供从几瓦到几十千瓦的电机控制的方案, 这些方案中包括我们的一些智能功率模块(IPM)、集成式的半桥功率驱动臂、集成的三相预驱动器,还有全系列的功率MOS和IGBT. 同时,我们也提供一些集成算法控制的“控制+功率”的整体方案。



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